Transistors. Page 66 sur 114. Avtronic

Transistor FQA36P15

11.26€ TTC

243 En stock

Transistor MOSFET canal P 150V 36A/144Ap. 294W 0.076R (25.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 150V. Id(T:25): 36A. Puissance: 294 W. Id(T:100): 25.5A. Id(imp): 144 Ap. Idss (min): 10 uA. Idss (max): 100 uA. Vgs: 30V. Vgs(th

0

Tarifs dégressifs

Transistor FQA62N25C

20.22€ TTC

49 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 250V 62A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 250V. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 298W. Résistance Rds: 0.029 Ohms.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA70N10

9.80€ TTC

21 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 70A/280Ap 214W 0.019R (49.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3PN. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 70A. Puissance: 214 W. Id(T:100): 49.5A. Id(imp): 280 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 25V. Vgs(th)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQA70N15

10.75€ TTC

2 En stock

Transistor MOSFET canal N 150V 70A/280Ap 330W 0.023R (50A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3PN. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 150V. Id(T:25): 70A. Puissance: 330 W. Id(T:100): 50A. Id(imp): 280 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 25V. Vgs(th) min.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQA9N90C-F109

15.57€ TTC

20 En stock

Transistor MOSFET canal-N 900V 9A/36Ap. 280W. Résistance passante RDSon : 1.12 Ohms (5.7A)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQAF11N90C

14.11€ TTC

87 En stock

Transistor MOSFET canal N 900V 7A/28Ap 120W 0.91R (4.4A)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQB27P06TM

5.04€ TTC

98 En stock

Transistor MOSFET canal P 60V 27A/108Ap 120W 0.083R (19.1A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 60V. Id(T:25): 27A. Puissance: 120 W. Id(T:100): 19.1A. Id(imp): 102 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. V

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Tarifs dégressifs

Transistor FQD19N10L

3.98€ TTC

90 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de drain maxi: 15.6A. Puissance: 50W. Rds: 0.074 Ohm. LogarithmiqueIC Level N-Channel MOSFET. Boîtier: D-PAK (TO-252).

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Tarifs dégressifs

Transistor FQD30N06L

4.48€ TTC

25 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 60V 24A/96Ap. 44W 0.031R (15A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FQD30N06LTF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO252 (D-PAK). Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 60V. Id(T:25): 24A. Puissance: 44 W. Id(T:100): 15A. Id(imp): 96 Ap. I

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP12N60C

8.79€ TTC

26 En stock

Transistor FQP12N60C N-MOS 600V 12A 225W 0.53R(7.4A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.4 A. Rds (Ohms): 0.53. Puissance: 225 W

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQP13N10

3.70€ TTC

55 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 12.8A/51.2Ap. 65W. Résistance passante RDSon : 0.142 Ohms (9.05A)

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP13N50

10.42€ TTC

3 En stock

Transistor FQP13N50 N-MOS 500V 12.5A 170W 0.33R (7.9A). N-Channel MOSFET (DMOS. QFET). Fast switching. IDM:50A. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB td(on)40nS. td(off)100nS. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.9 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP13N50C

14.90€ TTC

15 En stock

Transistor FQP13N50C N-MOS 500V 13A 195W 0.39R (8A). N-Channel MOSFET (DMOS. QFET). Fast switching. IDM:52A. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB td(on)25nS. td(off)100nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 13 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP17P10

4.54€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal P 100V 16.5A/66Ap 100W 0.14R (11.7A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Boîtier: TO220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 100V. Id(T:25): 16.5A. Puissance: 100 W. Id(T:100): 11.7A. Id(imp): 66 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 30V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4V. Rds(on): 0.1

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP19N10

5.15€ TTC

20 En stock

Transistor FQP19N10 N-MOS 100V 19A 75W 0.078R(13.5A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 19 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13.5 A. Rds (Ohms): 0.078. Puissance: 75W

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP19N20C

5.10€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 19A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 139W. Résistance Rds: 0.14 Ohms.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP44N10

5.66€ TTC

8 En stock

Transistor FQP44N10 N-MOS 100V 43.5A/174Ap.146W 0.03R(30.8A). DMOS. QFET. Fast switch. td(on)19nS. td(off)90nS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 43.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30.8 A

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP46N15

7.95€ TTC

49 En stock

Transistor FQP46N15 N-MOS 150V 45.6A/182Ap.210W 0.033R(32.2A). DMOS. QFET. Fast switch. td(on)35nS. td(off)210nS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 32.2A

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP50N06

4.03€ TTC

141 En stock

Transistor FQP50N06 N-MOS 60V 50A/200Ap.120W 0.018R(35.4A. DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35.4 A. Rds (Ohms): 0.018.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP50N06L

5.71€ TTC

60 En stock

Transistor FQP50N06L N-MOS 60V 52A/210Ap.121W 0.017R(37A). DMOS. QFET. LogarithmiqueIC N-Ch. MOSFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 52 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 37 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor FQP5N60C

4.20€ TTC

46 En stock

Transistor FQP5N60C N-MOS 600V 4.5A/18Ap. 100W 2R(2.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 15nC. Low Crss 6.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor FQA36P15

Transistor FQA62N25C

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 250V 62A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 250V. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 298W. Résistance Rds: 0.029 Ohms.

Transistor FQA70N10

Transistor FQA70N15

Transistor MOSFET canal-N FQA9N90C-F109

Transistor MOSFET canal-N 900V 9A/36Ap. 280W. Résistance passante RDSon : 1.12 Ohms (5.7A)

Transistor FQAF11N90C

Transistor MOSFET canal N 900V 7A/28Ap 120W 0.91R (4.4A)

Transistor FQB27P06TM

Transistor FQD19N10L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de drain maxi: 15.6A. Puissance: 50W. Rds: 0.074 Ohm. LogarithmiqueIC Level N-Channel MOSFET. Boîtier: D-PAK (TO-252).

Transistor FQD30N06L

Transistor FQP12N60C

Transistor FQP12N60C N-MOS 600V 12A 225W 0.53R(7.4A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.4 A. Rds (Ohms): 0.53. Puissance: 225 W

Transistor MOSFET canal-N FQP13N10

Transistor MOSFET canal-N 100V 12.8A/51.2Ap. 65W. Résistance passante RDSon : 0.142 Ohms (9.05A)

Transistor FQP13N50

Transistor FQP13N50 N-MOS 500V 12.5A 170W 0.33R (7.9A). N-Channel MOSFET (DMOS. QFET). Fast switching. IDM:50A. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB td(on)40nS. td(off)100nS. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.9 A.

Transistor FQP13N50C

Transistor FQP13N50C N-MOS 500V 13A 195W 0.39R (8A). N-Channel MOSFET (DMOS. QFET). Fast switching. IDM:52A. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB td(on)25nS. td(off)100nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 13 A.

Transistor FQP17P10

Transistor FQP19N10

Transistor FQP19N10 N-MOS 100V 19A 75W 0.078R(13.5A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 19 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13.5 A. Rds (Ohms): 0.078. Puissance: 75W

Transistor FQP19N20C

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 19A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 139W. Résistance Rds: 0.14 Ohms.

Transistor FQP44N10

Transistor FQP44N10 N-MOS 100V 43.5A/174Ap.146W 0.03R(30.8A). DMOS. QFET. Fast switch. td(on)19nS. td(off)90nS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 43.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30.8 A

Transistor FQP46N15

Transistor FQP46N15 N-MOS 150V 45.6A/182Ap.210W 0.033R(32.2A). DMOS. QFET. Fast switch. td(on)35nS. td(off)210nS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 32.2A

Transistor FQP50N06

Transistor FQP50N06 N-MOS 60V 50A/200Ap.120W 0.018R(35.4A. DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35.4 A. Rds (Ohms): 0.018.

Transistor FQP50N06L

Transistor FQP50N06L N-MOS 60V 52A/210Ap.121W 0.017R(37A). DMOS. QFET. LogarithmiqueIC N-Ch. MOSFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 52 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 37 A.

Transistor FQP5N60C

Transistor FQP5N60C N-MOS 600V 4.5A/18Ap. 100W 2R(2.6A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 15nC. Low Crss 6.5pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A.

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